Транзистор N-MOSFET Infineon IPD135N03LGATMA1, 30В, 21А, 31Вт, PG-TO252-3 (20 шт.)
1 870 ₴
- В наличии
- Код: TM112600
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD135N03LGATMA1, 30В, 21А, 31Вт, PG-TO252-3 (20 шт.)В наличии
1 870 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD135N03LGATMA1. Комплект состоит из 20 штук.
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 В
- Максимально допустимый ток стока: 21 А
- Максимальная мощность рассеивания: 31 Вт
- Корпус: PG-TO252-3, монтаж SMD
- Технология: OptiMOS™ 3
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 30 В, а максимально допустимый ток стока — 21 А. Максимальная мощность рассеивания равна 31 Вт. Эти характеристики определяют рабочий диапазон транзистора в электрических схемах.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе PG-TO252-3 с технологией OptiMOS™ 3. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж).
Комплектация
В наборе поставляется 20 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 31 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 21 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 13.5 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
Информация для заказа
- Цена: 1 870 ₴