Транзистор N-MOSFET Infineon IPB60R360P7ATMA1, 600 В, 6 А, D2PAK (набор 10 шт.)
1 940 ₴
- В наличии
- Код: TM112599
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB60R360P7ATMA1, 600 В, 6 А, D2PAK (набор 10 шт.)В наличии
1 940 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB60R360P7ATMA1 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 600 В и ток 6 А. Товар поставляется набором из 10 штук в корпусе D2PAK для монтажа SMD.
- Напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 6 А
- Рассеиваемая мощность: 41 Вт
- Сопротивление в состоянии проводимости: 0,36 Ом
- Корпус: D2PAK (монтаж SMD)
- Технология: CoolMOS™ P7
- Количество в наборе: 10 шт.
Электрические характеристики
Транзистор работает с напряжением сток-исток 600 В и выдерживает ток стока 6 А. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 0,36 Ом, а рассеиваемая мощность — 41 Вт. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В, а заряд затвора равен 13 нКл.
Технология и корпус
Прибор изготовлен по технологии CoolMOS™ P7. Корпус D2PAK предназначен для поверхностного монтажа (SMD).
Комплект поставки
В комплекте поставляется 10 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 41 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 6 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 360 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | CoolMOS™ P7 |
Информация для заказа
- Цена: 1 940 ₴