Транзистор N-MOSFET Infineon IPA95R1K2P7, 950 В, 3,7 А, TO220FP, набор 10 шт (IPA95R1K2P7XKSA1)
1 990 ₴
- В наличии
- Код: TM112598
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA95R1K2P7, 950 В, 3,7 А, TO220FP, набор 10 шт (IPA95R1K2P7XKSA1)В наличии
1 990 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 10 транзисторов N-MOSFET Infineon IPA95R1K2P7XKSA1 с технологией CoolMOS™ P7. Компоненты предназначены для работы с напряжением до 950 В и током 3,7 А в корпусе TO220FP.
- Напряжение сток-исток: 950 В
- Ток стока: 3,7 А
- Технология: CoolMOS™ P7
- Корпус: TO220FP (THT монтаж)
- Набор: 10 транзисторов
- Защита ESD
Электрические параметры
Транзисторы выдерживают напряжение сток-исток 950 В и ток стока 3,7 А. Рассчитаны на высокое напряжение. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 1,2 Ом.
Технология и защита
Компоненты изготовлены по технологии CoolMOS™ P7 от Infineon. Версия ESD обеспечивает защиту от электростатического разряда. Монтаж выполняется методом THT (выводной монтаж). Напряжение затвор-исток составляет ±20 В, а заряд затвора — 15 нКл.
Комплектация и монтаж
В комплекте поставляется 10 транзисторов. Корпус TO220FP.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 27 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 950 В |
| Максимально допустимый ток стока | 3.7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1200 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технология | CoolMOS™ P7 |
Информация для заказа
- Цена: 1 990 ₴