Транзистор N-MOSFET Infineon IPA057N08N3GXKSA1, 80В, 60А, TO220FP (набор 10 шт.)
2 430 ₴
- В наличии
- Код: TM112593
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA057N08N3GXKSA1, 80В, 60А, TO220FP (набор 10 шт.)В наличии
2 430 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 10 транзисторов N-MOSFET от Infineon Technologies, модель IPA057N08N3GXKSA1. Это униполярные полевые транзисторы с каналом обогащения, рассчитанные на напряжение 80 В и ток 60 А. Произведены по технологии OptiMOS™ 3 в корпусе TO220FP для монтажа на плату (THT).
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 80 В
- Ток стока: 60 А
- Сопротивление в открытом состоянии: 5,7 мОм
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Комплектация: набор из 10 штук
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток до 80 В и выдерживает ток стока 60 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 5,7 мОм. Максимальная рассеиваемая мощность равна 39 Вт. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TO220FP. Тип монтажа — выводной (THT), что подходит для пайки на печатные платы с отверстиями.
Технология OptiMOS™ 3
Произведено по технологии OptiMOS™ 3.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 39 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 80 В |
| Максимально допустимый ток стока | 60 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 5.7 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
Информация для заказа
- Цена: 2 430 ₴