Транзистор N-MOSFET Infineon IMW65R072M1HXKSA1, SiC, 650 В, 18 А, TO247 (2 шт.)
2 400 ₴
- В наличии
- Код: TM112581
Транзистор N-MOSFET Infineon IMW65R072M1HXKSA1, SiC, 650 В, 18 А, TO247 (2 шт.)В наличии
2 400 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель IMW65R072M1HXKSA1, изготовлен по технологии SiC (карбид кремния). В комплект входит 2 единицы компонента в корпусе TO247 для монтажа на плату (THT).
- Тип: N-MOSFET с каналом обогащения
- Материал: SiC (карбид кремния), технология CoolSiC™
- Напряжение сток-исток: 650 В
- Ток стока: 18 А (импульсный до 69 А)
- Сопротивление в открытом состоянии: 94 мОм
- Корпус: TO247, монтаж THT
- Комплектация: 2 шт.
Высокое напряжение и ток
Компонент рассчитан на рабочее напряжение сток-исток 650 В и постоянный ток стока 18 А. Импульсный ток может достигать 69 А,
Технология SiC и эффективность
Использование карбида кремния (SiC) и технологии CoolSiC™ обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии — 94 мОм. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 96 Вт,
Удобный монтаж
Транзистор имеет корпус TO247. Тип монтажа THT (through-hole technology) означает, что выводы вставляются в отверстия на печатной плате и припаиваются с другой стороны.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 96 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 23 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 650 В |
| Максимально допустимый ток стока | 18 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 94 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 2 шт. |
| Корпус | TO247 |
| Технология | CoolSiC™, SiC |
Информация для заказа
- Цена: 2 400 ₴