Транзистор IGBT Infineon IGW50N65F5FKSA1, 650 В, 80 А, TO247-3, комплект 5 шт.
2 090 ₴
- В наличии
- Код: TM112561
Транзистор IGBT Infineon IGW50N65F5FKSA1, 650 В, 80 А, TO247-3, комплект 5 шт.В наличии
2 090 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IGBT-транзистор Infineon IGW50N65F5FKSA1 в корпусе TO247-3 с номинальным напряжением 650 В и током коллектора 80 А. Комплект состоит из 5 единиц, изготовленных по технологии TRENCHSTOP™ 5.
- Тип транзистора: IGBT
- Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Ток коллектора: 80 А
- Рассеиваемая мощность: 270 Вт
- Корпус: TO247-3
- Монтаж: THT
- Технология: TRENCHSTOP™ 5
- Количество в комплекте: 5 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 650 В и постоянный ток коллектора 80 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 270 Вт. Допустимое напряжение на затворе — ±20 В.
Монтаж и корпус
Компонент выполнен в стандартном корпусе TO247-3. Монтаж осуществляется методом вывода в отверстия (THT).
Технология TRENCHSTOP™ 5
Изделие изготовлено по технологии TRENCHSTOP™ 5 от производителя Infineon Technologies.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 270 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 80 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
| Технология | TRENCHSTOP™ 5 |
Информация для заказа
- Цена: 2 090 ₴