Транзистор IGBT Infineon IGB30N60H3ATMA1, 600 В, 30 А, D2PAK — набор 10 шт.
2 510 ₴
- В наличии
- Код: TM112558
Транзистор IGBT Infineon IGB30N60H3ATMA1, 600 В, 30 А, D2PAK — набор 10 шт.В наличии
2 510 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IGBT-транзистор Infineon Technologies IGB30N60H3ATMA1 в корпусе D2PAK для SMD-монтажа. Устройство рассчитано на рабочее напряжение 600 В и ток коллектора 30 А.
- Тип транзистора: IGBT
- Напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
- Ток коллектора: 30 А
- Рассеиваемая мощность: 187 Вт
- Корпус: D2PAK (SMD монтаж)
- Количество в комплекте: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением коллектор-эмиттер 600 В и выдерживает ток коллектора 30 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 187 Вт. Напряжение между затвором и эмиттером ограничено значением ±20 В.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе D2PAK, предназначенном для поверхностного монтажа (SMD).
Комплектация
В комплект входит 10 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 187 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 30 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
Информация для заказа
- Цена: 2 510 ₴