Транзистор N-MOSFET Infineon IAUT300N08S5N012, 80 В, 300 А, PG-HSOF-8 (5 шт.) (IAUT300N08S5N012ATMA2)

Транзистор N-MOSFET Infineon IAUT300N08S5N012 — силовой полупроводниковый прибор в корпусе PG-HSOF-8. Комплект состоит из 5 штук, предназначенных для монтажа по технологии SMD.

• Напряжение сток-исток: 80 В
• Ток стока: 300 А
• Рассеиваемая мощность: 375 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 1,2 мОм
• Корпус: PG-HSOF-8, монтаж SMD
• Технология: OptiMOS™ 5
• Количество в комплекте: 5 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет напряжение сток-исток 80 В и максимальный ток стока 300 А. Рассеиваемая мощность составляет 375 Вт, что определяет тепловой режим работы. Сопротивление в открытом состоянии равно 1,2 мОм, что минимизирует потери энергии при коммутации.

Технология и управление

Прибор изготовлен по технологии OptiMOS™ 5, обеспечивающей оптимизированные характеристики переключения. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В, а заряд затвора — 178 нКл. Канал транзистора является обогащаемым (enhancement mode), что соответствует стандартному режиму работы N-MOSFET.

Комплектация и монтаж

В комплекте поставляется 5 транзисторов. Монтаж осуществляется методом поверхностного монтажа (SMD) в корпусе PG-HSOF-8, что обеспечивает компактное размещение на плате.