Транзистор N-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR GT110N06S, 60V, 14A, SOP8 (GT110N06S-GFS) — набор 30 шт.
2 520 ₴
- В наличии
- Код: TM112380
Транзистор N-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR GT110N06S, 60V, 14A, SOP8 (GT110N06S-GFS) — набор 30 шт.В наличии
2 520 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR GT110N06S — это полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 60 В и ток 14 А. Изготовлен в корпусе SOP8 для поверхностного монтажа (SMD) по технологии SGT.
- Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 14 А
- Мощность рассеивания: 3 Вт
- Корпус: SOP8, монтаж SMD
- Технология изготовления: SGT
- Заряд затвора: 24 нКл
- Комплектация: набор из 30 шт.
Электрические характеристики
Прибор имеет максимальное напряжение между истоком и стоком 60 В и выдерживает ток стока 14 А. Мощность рассеивания составляет 3 Вт, а напряжение на затворе ограничено ±20 В. Заряд затвора составляет 24 нКл.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SOP8 с монтажом SMD. Транзистор изготовлен по технологии SGT. Поляризация транзистора — униполярная, тип канала — обогащенный.
Комплектация и идентификация
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 3 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 14 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SOP8 |
| Производитель | GOFORD SEMICONDUCTOR |
| Технология | SGT |
Информация для заказа
- Цена: 2 520 ₴