Транзистор IGBT модуль STARPOWER GD15PJY120L2S, 1200 В, 15 А

IGBT модуль STARPOWER GD15PJY120L2S — это полупроводниковый компонент для мощных электронных систем. Он сочетает в себе диод и транзистор, обеспечивая эффективное преобразование энергии в промышленных устройствах.

• Максимальное обратное напряжение 1200 В
• Номинальный ток коллектора 15 А
• Импульсный ток до 30 А
• Технология Advanced Trench FS IGBT
• Корпус L2.2 для монтажа Press-in PCB

Высокое напряжение и ток

Модуль рассчитан на максимальное обратное напряжение 1200 В и номинальный ток коллектора 15 А. Это позволяет использовать его в устройствах повышения напряжения и силовых электронных схемах. Импульсный ток может достигать 30 А, что важно для пусковых режимов оборудования.

Топология boost chopper

Схема модуля включает boost chopper, трехфазный диодный мост и трехфазный IGBT мост с выходом OE. Такая конфигурация оптимизирована для повышения напряжения и управления мощностью в сложных электронных схемах. Наличие термистора NTC обеспечивает дополнительный контроль температуры.

Технология Advanced Trench FS IGBT

Использование технологии Advanced Trench FS IGBT обеспечивает оптимизированные характеристики переключения. Модуль работает с напряжением затвор-эмиттер ±20 В.

Удобный монтаж

Компонент имеет корпус L2.2 и предназначен для механического прикручивания и электрического монтажа Press-in PCB. Это упрощает интеграцию модуля в печатные платы. Конструкция обеспечивает надежный контакт и стабильность работы.