Транзистор N-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G2312, SOT23, 20 В, 5 А (G2312-GFS) — набор 30 шт.
2 030 ₴
- В наличии
- Код: TM112269
Транзистор N-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G2312, SOT23, 20 В, 5 А (G2312-GFS) — набор 30 шт.В наличии
2 030 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор GOFORD SEMICONDUCTOR G2312 — это N-канальный MOSFET типа Trench в корпусе SOT23. Монтаж на поверхность платы (SMD). Максимальный постоянный ток стока составляет 5 А.
- Тип: N-MOSFET, технология Trench
- Напряжение сток-исток: 20 В
- Ток стока: 5 А
- Рассеиваемая мощность: 1,25 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Заряд затвора: 10,5 нКл
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SOT23. Тип монтажа — SMD (поверхностный). Это определяет габариты и способ крепления на печатной плате.
Тип транзистора
Транзистор изготовлен по технологии Trench. Тип транзистора — N-MOSFET. Поляризация — униполярная. Канал обогащаемый. Технология изготовления — Trench.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 1.25 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 12 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 5 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Производитель | GOFORD SEMICONDUCTOR |
Информация для заказа
- Цена: 2 030 ₴