Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD18N20V2TM, 200 В, 9,75 А, DPAK (набор 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD18N20V2TM — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах с нагрузкой до 200 В. Модель выполнена в корпусе DPAK с технологией QFET®, что обеспечивает эффективное рассеивание тепла и стабильную работу при токе 9,75 А.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 200 В
• Ток стока: 9,75 А
• Мощность рассеивания: 83 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 0,14 Ом
• Корпус: DPAK, монтаж SMD
• Технология: QFET®
• Комплектация: набор из 20 штук

Эффективное рассеивание тепла

Благодаря технологии QFET® и корпусу DPAK транзистор имеет мощность рассеивания 83 Вт. Это позволяет компоненту выдерживать значительные нагрузки без перегрева, что критически важно для надежности силовых цепей и инверторов.

Стабильная работа под нагрузкой

Транзистор работает с напряжением сток-исток 200 В и выдерживает постоянный ток стока 9,75 А. Низкое сопротивление в открытом состоянии 0,14 Ом минимизирует потери энергии и нагрев компонента во время эксплуатации. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет ±30 В.

Удобный монтаж и комплектация

Компонент предназначен для поверхностного монтажа (SMD), что упрощает автоматизацию производства плат. Товар поставляется набором из 20 штук, что удобно для серийного производства или ремонта оборудования.