Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD13N06LTM, 60В, 7А, DPAK (набор 20 шт.)
1 950 ₴
- В наличии
- Код: TM112242
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD13N06LTM, 60В, 7А, DPAK (набор 20 шт.)В наличии
1 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD13N06LTM — это полупроводниковый прибор в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 20 одинаковых компонентов.
- Тип транзистора: N-MOSFET, канал с обогащением
- Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 7 А
- Рассеиваемая мощность: 28 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток до 60 В и выдерживает ток стока 7 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 28 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,145 Ом.
Технология и монтаж
Компонент изготовлен по технологии QFET®. Корпус DPAK предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 28 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 145 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | QFET® |
Информация для заказа
- Цена: 1 950 ₴