Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQA8N100C, 1000 В, 5 А, TO3PN (5 шт.)
2 190 ₴
- В наличии
- Код: TM112241
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQA8N100C, 1000 В, 5 А, TO3PN (5 шт.)В наличии
2 190 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQA8N100C — это униполярный полевой транзистор. Комплект состоит из 5 элементов в корпусе TO3PN с монтажом THT.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Максимальное напряжение сток-исток: 1000 В
- Максимальный ток стока: 5 А
- Рассеиваемая мощность: 225 Вт
- Корпус: TO3PN, монтаж THT
- Комплектация: 5 шт.
Высокое напряжение и ток
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток до 1000 В и максимальный ток стока 5 А. Рассеиваемая мощность составляет 225 Вт.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TO3PN с технологией монтажа THT.
Электрические параметры
Напряжение затвор-исток составляет ±30 В. Сопротивление в открытом состоянии равно 1,45 Ом. Тип канала — обогащенный.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 225 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 1000 В |
| Максимально допустимый ток стока | 5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1450 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO3PN |
Информация для заказа
- Цена: 2 190 ₴