Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQA140N10, 100В, 99А, TO3PN (3 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQA140N10 — силовой компонент в корпусе TO3PN для монтажа на плату (THT). Комплект состоит из 3 транзисторов.

• Ток стока: 99 А
• Импульсный ток: 560 А
• Напряжение сток-исток: 100 В
• Рассеиваемая мощность: 375 Вт
• Сопротивление в состоянии проводимости: 10 мОм
• Корпус: TO3PN, монтаж THT
• В комплекте: 3 шт.

Высокая токовая нагрузка

Транзистор рассчитан на постоянный ток стока 99 А и импульсный ток до 560 А. Это позволяет использовать компонент в схемах со значительными нагрузками.

Рассеиваемая мощность

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 375 Вт. Такой показатель указывает на то, что транзистор может работать в режимах с высоким тепловыделением при условии надлежащего охлаждения.

Низкое сопротивление в открытом состоянии

Сопротивление в состоянии проводимости (Rds(on)) равно 10 мОм. Низкое сопротивление снижает потери мощности и нагрев компонента во время работы.

Удобный монтаж и комплектация

Компонент выполнен в корпусе TO3PN с выводами для монтажа на плату (THT). В комплекте поставляется 3 транзистора. Напряжение затвор-исток составляет ±25 В, а заряд затвора — 285 нКл. Транзистор является униполярным с каналом обогащения типа N-MOSFET.