Транзистор IGBT Infineon FP15R12W1T4_B3, 15 А, 1200 В, EasyPIM™ 1B

IGBT-модуль Infineon FP15R12W1T4_B3 — это полупроводниковый компонент в корпусе AG-EASY1B-1, объединяющий трехфазный диодный и IGBT-мост с термистором NTC.

• Ток коллектора 15 А, импульсный ток 30 А
• Максимальное напряжение 1200 В
• Рассеиваемая мощность 130 Вт
• Корпус AG-EASY1B-1 (EasyPIM™ 1B)
• Монтаж Press-in PCB и прикручивание
• Топология: трехфазный диодный и IGBT-мост, NTC

Высокая мощность и ток

Модуль рассчитан на постоянный ток коллектора 15 А и импульсный ток до 30 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 130 Вт. Максимальное обратное напряжение составляет 1,2 кВ.

Компактный корпус EasyPIM™ 1B

Технология EasyPIM™ 1B и корпус AG-EASY1B-1 позволяют разместить сложную топологию (диодный мост, IGBT-мост, термистор) в одном компактном модуле. Это упрощает монтаж на плате и экономит место в шасси оборудования.

Точное управление и структура

Структура полупроводника включает диод и транзистор, что реализует функциональность мостов. Напряжение между затвором и эмиттером ограничено ±20 В, что определяет требования к управляющим сигналам. Электрическое соединение выполняется по технологии Press-in PCB. Механическое крепление модуля осуществляется прикручиванием.