Транзистор ONSEMI FJP13009H2TU, NPN, 400 В, 12 А, 100 Вт, TO220AB (набор 10 шт.)
2 420 ₴
- В наличии
- Код: TM112222
Транзистор ONSEMI FJP13009H2TU, NPN, 400 В, 12 А, 100 Вт, TO220AB (набор 10 шт.)В наличии
2 420 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Биполярный транзистор ONSEMI FJP13009H2TU типа NPN в корпусе TO220AB. Предназначен для работы в электрических цепях с напряжением до 400 В и током коллектора до 12 А. Пакет содержит 10 единиц.
- Тип транзистора: NPN, биполярный
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 400 В
- Ток коллектора: 12 А
- Мощность рассеивания: 100 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Количество в наборе: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 400 В и постоянный ток коллектора 12 А. Мощность рассеивания составляет 100 Вт. Коэффициент усиления по току (hFE) находится в диапазоне 15–40.
Монтаж и корпус
Компонент выполнен в корпусе TO220AB с монтажом THT (в отверстия).
Комплект поставки
Внимание: товар продается набором из 10 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 100 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 400 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 12 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 4 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Информация для заказа
- Цена: 2 420 ₴