Транзистор IGBT ONSEMI FGH50T65UPD, 650 В, 50 А, TO247-3 (набор 3 шт.)
1 970 ₴
- В наличии
- Код: TM112214
Транзистор IGBT ONSEMI FGH50T65UPD, 650 В, 50 А, TO247-3 (набор 3 шт.)В наличии
1 970 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IGBT-транзистор ONSEMI FGH50T65UPD в корпусе TO247-3 для монтажных работ. Комплект состоит из 3 единиц с номинальным напряжением 650 В и током коллектора 50 А.
- Тип транзистора: IGBT
- Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Ток коллектора: 50 А
- Рассеиваемая мощность: 170 Вт
- Корпус: TO247-3
- Монтаж: THT
- Количество в комплекте: 3 шт.
Технические параметры
Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 650 В и постоянный ток коллектора 50 А. Максимальный импульсный ток составляет 150 А, а рассеиваемая мощность — 170 Вт. Напряжение затвор-эмиттер ограничено ±20 В, заряд затвора — 230 нКл.
Монтаж и корпус
Компонент выполнен в стандартном корпусе TO247-3 для выводного монтажа (THT). Такое исполнение обеспечивает надежное крепление на плате и эффективный отвод тепла через радиатор.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 170 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 150 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 3 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Информация для заказа
- Цена: 1 970 ₴