Транзистор IGBT ONSEMI FGH40N60SMD, 600 В, 40 А, TO247-3 (набор 5 шт.)
2 240 ₴
- В наличии
- Код: TM112212
Транзистор IGBT ONSEMI FGH40N60SMD, 600 В, 40 А, TO247-3 (набор 5 шт.)В наличии
2 240 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IGBT-транзистор ONSEMI FGH40N60SMD в корпусе TO247-3. Комплект состоит из 5 единиц.
- Тип транзистора: IGBT
- Напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
- Ток коллектора: 40 А (120 А в импульсе)
- Рассеиваемая мощность: 174 Вт
- Корпус: TO247-3, монтаж THT
- Комплектация: 5 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением коллектор-эмиттер до 600 В и постоянным током коллектора 40 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 120 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 174 Вт, а заряд затвора — 180 нКл.
Особенности конструкции
Прибор имеет встроенный антипараллельный диод. Напряжение затвор-эмиттер ограничено ±20 В. Монтаж выполняется методом THT (сквозь отверстия), корпус TO247-3.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 174 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 120 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Информация для заказа
- Цена: 2 240 ₴