Транзистор IGBT ONSEMI FGA60N65SMD, 650 В, 60 А, TO3PN (набор 5 шт.)

Транзистор IGBT ONSEMI FGA60N65SMD — это полупроводниковый прибор для мощных силовых схем. Комплект из 5 штук в корпусе TO3PN обеспечивает надежную коммутацию тока до 60 А при напряжении 650 В.

• Набор из 5 транзисторов IGBT
• Напряжение коллектор-эмиттер 650 В
• Ток коллектора 60 А (импульсный 180 А)
• Рассеиваемая мощность 300 Вт
• Корпус TO3PN для монтажа в отверстия
• Интегрированный антипараллельный диод

Мощность и ток

IGBT-транзистор работает с постоянным током коллектора 60 А и выдерживает импульсный ток до 180 А. Рассеиваемая мощность составляет 300 Вт, что требует надлежащего охлаждения для стабильной работы в силовых схемах.

Встроенный диод

Конструкция включает интегрированный антипараллельный диод, который упрощает схему и экономит место на плате. Это решение особенно удобно для конструкторов, разрабатывающих мосты или каскады с рекуперацией энергии.

Удобный монтаж

Корпус TO3PN предназначен для установки в отверстия (THT), что обеспечивает механическое крепление и требует внешнего радиатора для отвода тепла. Максимальное напряжение между затвором и эмиттером ограничено ±20 В, что требует соблюдения параметров управляющего сигнала.

Управление затвором

Заряд затвора составляет 284 нКл, что влияет на скорость переключения и требования к драйверу. Максимальное напряжение затвор-эмиттер ±20 В определяет допустимый уровень управляющего сигнала.

Комплектация и применение