Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS9945, 60В, 3,5А, SO8 (набор 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS9945 — это двойной полевой транзистор в корпусе SO8 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 20 штук, что обеспечивает запас компонентов для серийного производства или ремонта плат.

• Двойной N-MOSFET транзистор (N-MOSFET x2)
• Напряжение сток-исток: 60 В
• Ток стока: 3,5 А
• Рассеиваемая мощность: 2 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 0,17 Ом
• Корпус SO8, монтаж SMD
• Технология PowerTrench®
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры и заряд затвора

Транзистор работает с напряжением сток-исток до 60 В и током стока 3,5 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 2 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,17 Ом, что минимизирует потери энергии при коммутации. Общий заряд затвора составляет 13 нКл, а допустимое напряжение затвор-исток — ±20 В.

Комплектация и монтаж

Компонент изготовлен по технологии PowerTrench®. Корпус SO8 и тип монтажа SMD позволяют размещать транзисторы на плотных печатных платах. В комплекте поставляется 20 штук, что удобно для серийного производства или создания запаса компонентов.

Полярность и канал транзистора

Транзистор является униполярным (unipolarny) с каналом обогащения (wzbogacany). Это означает, что устройство закрыто при отсутствии напряжения на затворе и открывается при подаче управляющего сигнала, что является стандартной схемой для многих коммутационных задач.