Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP22N50N, 500В, 13.2А, TO220AB (5 шт.)
2 000 ₴
- В наличии
- Код: TM112192
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP22N50N, 500В, 13.2А, TO220AB (5 шт.)В наличии
2 000 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP22N50N — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Комплект состоит из 5 единиц в корпусе TO220AB.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 500 В
- Ток стока: 13,2 А
- Рассеиваемая мощность: 312,5 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Комплект: 5 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 500 В и ток стока 13,2 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 0,22 Ом. Максимальная рассеиваемая мощность равна 312,5 Вт.
Технология и монтаж
Прибор изготовлен по технологии UniFET™. Монтаж выполняется методом вывода в отверстия (THT).
Комплектация
В упаковке поставки находится 5 транзисторов FDP22N50N. Напряжение затвор-исток составляет ±30 В, а заряд затвора — 65 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 312.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 500 В |
| Максимально допустимый ток стока | 13.2 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 220 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | UniFET™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 000 ₴