Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP20N50F, 500В, 12,9А, TO220-3 (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP20N50F — это униполярный компонент с каналом обогащения. Модель изготовлена по технологии DMOS, UniFET™ и поставляется в корпусе TO220-3 для монтажа на плату (THT). Комплект состоит из 10 единиц.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 500 В
• Ток стока: 12,9 А (импульсный до 80 А)
• Рассеиваемая мощность: 250 Вт
• Корпус: TO220-3, монтаж THT
• Технология: DMOS, UniFET™
• Комплектация: набор из 10 транзисторов

Мощность и эффективность

Компонент работает с напряжением сток-исток до 500 В и номинальным током 12,9 А. Импульсный ток достигает 80 А.

Тепловые характеристики и сопротивление

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 250 Вт. Сопротивление в состоянии проводимости 0,26 Ом.

Управление и параметры затвора

Заряд затвора составляет 65 нКл. Допустимое напряжение затвор-исток ограничено ±30 В.

Монтаж и комплектация набора