Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN339AN, 20 В, 3 А, SuperSOT-3 (30 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN339AN — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для коммутации тока до 3 А при напряжении 20 В. Компонент выполнен в компактном корпусе SuperSOT-3 для монтажа на поверхность платы (SMD) и изготовлен по технологии PowerTrench®.

• Ток стока 3 А при напряжении 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии 61 мОм
• Логический уровень управления (logic level)
• Корпус SuperSOT-3 для SMD монтажа
• Технология PowerTrench®
• Комплект: 30 транзисторов

Электрические параметры и коммутация

Транзистор работает с напряжением сток-исток 20 В и выдерживает ток стока 3 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 61 мОм. Мощность рассеивания ограничена 0,5 Вт, а заряд затвора равен 10 нКл.

Управление и логический уровень

Компонент имеет логический уровень управления (logic level). Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±8 В. Транзистор является униполярным с каналом обогащения.

Корпус и монтаж

Используется корпус SuperSOT-3 для поверхностного монтажа (SMD). Изготовлен по технологии PowerTrench®. В комплекте поставляется 30 единиц.