Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD86102LZ, 100V, 35A, DPAK (набор 10 шт.)
2 020 ₴
- В наличии
- Код: TM112189
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD86102LZ, 100V, 35A, DPAK (набор 10 шт.)В наличии
2 020 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD86102LZ — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Модель выполнена в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD) и реализуется набором из 10 штук.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
- Ток стока: 35 А
- Рассеиваемая мощность: 54 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 40 мОм
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Комплектация: набор из 10 транзисторов
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 100 В и постоянный ток стока 35 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 40 мОм. Максимальная рассеиваемая мощность равна 54 Вт, а заряд затвора — 26 нКл.
Технология и монтаж
Изделие изготовлено по технологии PowerTrench®. Корпус DPAK предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 54 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 35 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 40 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 2 020 ₴