Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD3672, 100В, 44А, DPAK, комплект 10 шт.
2 000 ₴
- В наличии
- Код: TM112188
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD3672, 100В, 44А, DPAK, комплект 10 шт.В наличии
2 000 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD3672 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Модель выполнена в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD) и реализует технологию UltraFET®.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
- Ток стока: 44 А
- Мощность рассеивания: 135 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Сопротивление в состоянии проводимости: 68 мОм
- Комплектация: 10 шт.
Электрические параметры и технология
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 100 В и ток стока 44 А. Мощность рассеивания составляет 135 Вт. Сопротивление в состоянии проводимости равно 68 мОм.
Корпус, монтаж и комплектация
Компонент изготовлен в корпусе DPAK. Тип монтажа — SMD (поверхностный). Заряд затвора составляет 36 нКл, а напряжение затвор-исток ограничено ±20 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 135 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 44 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 68 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | UltraFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 000 ₴