Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDC637BNZ, 20 В, 6,2 А, SuperSOT-6 (набор 40 шт.)
2 430 ₴
- В наличии
- Код: TM112187
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDC637BNZ, 20 В, 6,2 А, SuperSOT-6 (набор 40 шт.)В наличии
2 430 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDC637BNZ — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Товар поставляется набором из 40 штук в корпусе SuperSOT-6.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 20 В
- Максимальный ток стока: 6,2 А
- Мощность рассеивания: 1,6 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 41 мОм
- Корпус: SuperSOT-6, монтаж SMD
- Технология: PowerTrench®
- Количество в наборе: 40 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 20 В и ток стока 6,2 А. Мощность рассеивания составляет 1,6 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 41 мОм. Напряжение затвор-исток допускает значения ±20 В.
Технология и монтаж
Компонент изготовлен по технологии PowerTrench®. Монтаж выполняется методом SMD (поверхностный монтаж) в корпусе SuperSOT-6. Заряд затвора составляет 12 нКл.
Комплектация
В комплекте поставляется 40 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.6 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 6.2 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 41 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | SuperSOT-6 |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 2 430 ₴