
Транзистор ONSEMI FDC6301N, N-MOSFET x2, SuperSOT-6, 25V, 0,22A (40 шт.)
2 080 ₴
- В наличии
- Код: TM112186
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор ONSEMI FDC6301N — это комплект из 40 штук двойных N-канальных MOSFET-транзисторов в корпусе SuperSOT-6. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD).
- Комплект из 40 транзисторов
- Двойной N-MOSFET в одном корпусе
- Корпус SuperSOT-6 для SMD монтажа
- Напряжение сток-исток 25 В
- Ток стока 0,22 А
- Мощность рассеивания 0,9 Вт
Двойной N-канальный MOSFET
Компонент содержит два N-канальных MOSFET-транзистора в одном корпусе SuperSOT-6. Каналы являются обогащаемыми (enhancement mode).
Электрические параметры и управление
Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 25 В, а максимальный ток стока — 0,22 А. Мощность рассеивания ограничена 0,9 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента. Сопротивление в открытом состоянии равно 9 Ом. Заряд затвора составляет 0,7 нКл. Напряжение затвор-исток определено как ±0,5 В и ±8 В.
Технология и монтаж
Используется технология PowerTrench®. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.9 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 25 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.22 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 9000 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | SuperSOT-6 |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 2 080 ₴
