Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB28N30TM, 300 В, 28 А, D2PAK (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB28N30TM — это униполярный компонент с обогащенным каналом, предназначенный для коммутации высокой мощности. Модель рассчитана на напряжение 300 В и ток 28 А.

• Ток стока 28 А
• Напряжение сток-исток 300 В
• Рассеиваемая мощность 250 Вт
• Сопротивление в состоянии проводности 0,129 Ом
• Корпус D2PAK и монтаж SMD
• Набор из 10 штук

Высокая рассеиваемая мощность

Транзистор способен рассеивать до 250 Вт тепла, что позволяет использовать его в условиях значительных нагрузок. Такая характеристика важна для стабильной работы силовых ключей в инверторах и преобразователях.

Низкое сопротивление в открытом состоянии

Сопротивление в состоянии проводности составляет 0,129 Ом, что минимизирует потери энергии и нагрев компонента во время работы. Низкое сопротивление особенно ценно в схемах с высоким током нагрузки.

Удобный монтаж и технология UniFET™

Компонент изготовлен по технологии UniFET™. Монтаж выполняется методом SMD.

Надежность и параметры управления

Товар поставляется набором из 10 штук.