Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCH104N60F, 600В, 24А, TO247 (5 шт.)
2 840 ₴
- В наличии
- Код: TM112184
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCH104N60F, 600В, 24А, TO247 (5 шт.)В наличии
2 840 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCH104N60F — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Комплект состоит из 5 штук в корпусе TO247.
- Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 24 А
- Мощность рассеивания: 357 Вт
- Сопротивление в состоянии проводности: 0,104 Ом
- Корпус: TO247, монтаж THT
- Количество в комплекте: 5 шт.
Высокое напряжение и ток
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 600 В и ток стока 24 А. Такие параметры позволяют использовать компонент в схемах с высокими напряжениями и токами.
Эффективное рассеивание тепла
Мощность рассеивания составляет 357 Вт. Корпус TO247 и монтаж THT (выводной монтаж).
Низкое сопротивление в открытом состоянии
Сопротивление в состоянии проводности равно 0,104 Ом. Это значение характеризует потери в канале при проводимости.
Удобный комплект для мастеров
Упаковка содержит 5 транзисторов.
Транзистор ONSEMI FCH104N60F предназначен для электронных устройств с высокими напряжениями и токами.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 357 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 24 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 104 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO247 |
Информация для заказа
- Цена: 2 840 ₴