Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCD5N60TM, 600В, 2,9А, DPAK (набор 10 шт.)
2 020 ₴
- В наличии
- Код: TM112183
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCD5N60TM, 600В, 2,9А, DPAK (набор 10 шт.)В наличии
2 020 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCD5N60TM — это полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 600 В и ток 2,9 А.## Корпус и монтаж
- Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 2,9 А
- Рассеиваемая мощность: 54 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Технология: SuperFET®
- Комплектация: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор изготовлен по технологии SuperFET®. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 54 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 0,95 Ом. Напряжение затвор-исток ограничено ±30 В.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD). В комплекте поставляется 10 компонентов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 54 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 2.9 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 950 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | SuperFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 020 ₴