Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCD4N60TM, 600В, 2,5А, DPAK (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCD4N60TM — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Товар поставляется комплектом из 10 штук в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD).

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
• Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 2,5 А
• Рассеиваемая мощность: 50 Вт
• Корпус: DPAK, монтаж SMD
• Количество в комплекте: 10 шт.

Напряжение и ток

Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 600 В. Максимальный ток стока равен 2,5 А, а рассеиваемая мощность — 50 Вт. Напряжение на затворе ограничено ±30 В, а сопротивление в открытом состоянии составляет 1,2 Ом.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе DPAK. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж). Транзистор является униполярным, что означает наличие только одного типа носителей заряда. Канал транзистора является обогащаемым, то есть для открытия прибора необходимо напряжение на затворе.