Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCB260N65S3, 650 В, 12 А, D2PAK (набор 10 шт.)
3 520 ₴
- В наличии
- Код: TM112181
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCB260N65S3, 650 В, 12 А, D2PAK (набор 10 шт.)В наличии
3 520 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 10 транзисторов ONSEMI FCB260N65S3 типа N-MOSFET в корпусе D2PAK. Компоненты предназначены для работы с напряжением до 650 В и током 12 А.
- Напряжение сток-исток 650 В
- Ток стока 12 А, импульсный 30 А
- Рассеиваемая мощность 90 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии 0,26 Ом
- Корпус D2PAK для SMD монтажа
- Набор из 10 транзисторов
Мощность и ток
Транзисторы выдерживают постоянный ток стока 12 А и импульсный ток до 30 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 90 Вт.
Высокое напряжение и сопротивление
Номинальное напряжение сток-исток 650 В. Сопротивление в открытом состоянии 0,26 Ом.
Удобный монтаж
Компоненты выполнены в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа (SMD).
Комплектация
В наборе поставляется 10 транзисторов. Заряд затвора составляет 24 нКл. Максимальное напряжение затвор-исток ±30 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 90 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 650 В |
| Максимально допустимый ток стока | 12 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 260 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
Информация для заказа
- Цена: 3 520 ₴