Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCB20N60FTM, 600 В, 12,5 А, D2PAK (5 шт.)
2 420 ₴
- В наличии
- Код: TM112180
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCB20N60FTM, 600 В, 12,5 А, D2PAK (5 шт.)В наличии
2 420 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCB20N60FTM — это полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Комплект состоит из 5 единиц в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 12,5 А
- Рассеиваемая мощность: 208 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 0,19 Ом
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Технология: SuperFET®
- Комплектация: 5 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 600 В и максимальный ток стока 12,5 А. Рассеиваемая мощность составляет 208 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,19 Ом.
Технология и монтаж
Прибор изготовлен по технологии SuperFET®. Корпус D2PAK и тип монтажа SMD. Напряжение затвор-исток ограничено ±30 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 208 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 12.5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 190 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | SuperFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 420 ₴