
Транзистор NPN ONSEMI DTC114YM3T5G, SOT723, 50В, 100мА, 0,6Вт (набор 80 шт.)
1 900 ₴
- В наличии
- Код: TM112096
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор NPN ONSEMI DTC114YM3T5G — это биполярный компонент со встроенными резисторами, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). В комплекте поставляется 80 штук в корпусе SOT723.
- Тип транзистора: NPN, биполярный, BRT
- Корпус: SOT723, монтаж SMD
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
- Ток коллектора: 100 мА (0,1 А)
- Мощность рассеивания: 0,6 Вт (600 мВт)
- Встроенные резисторы: 10 кОм (база) и 47 кОм (эмиттер-база)
- Количество в наборе: 80 шт.
Технические характеристики
Компонент имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 50 В и ток коллектора 100 мА (0,1 А). Мощность рассеивания составляет 0,6 Вт (600 мВт). Коэффициент усиления по току (hFE) находится в диапазоне 80–140.
Встроенные резисторы
Транзистор относится к типу BRT (Bias Resistor Transistor), то есть имеет интегрированные резисторы: база-эмиттер 10 кОм и эмиттер-база 47 кОм.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SOT723 для технологии поверхностного монтажа (SMD).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.6 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 50 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.1 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 80 шт. |
| Корпус | SOT723 |
Информация для заказа
- Цена: 1 900 ₴
