Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN2005LPK-7, 20V, 0,44A, X1-DFN1006-3 (300 шт.)
2 510 ₴
- В наличии
- Код: TM112052
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN2005LPK-7, 20V, 0,44A, X1-DFN1006-3 (300 шт.)В наличии
2 510 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN2005LPK-7 — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Поставляется комплектом из 300 штук в корпусе X1-DFN1006-3 с версией ESD.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 20 В
- Ток стока: 0,44 А
- Рассеиваемая мощность: 0,45 Вт
- Корпус: X1-DFN1006-3, монтаж SMD
- Комплектация: 300 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток 20 В и током стока 0,44 А. Рассеиваемая мощность составляет 0,45 Вт.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе X1-DFN1006-3 для монтажа по технологии SMD. Транзистор имеет версию ESD.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.45 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 10 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.44 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 3500 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Количество в комплекте | 300 шт. |
| Корпус | X1-DFN1006-3 |
Информация для заказа
- Цена: 2 510 ₴