Транзистор N-MOSFET x2 Diodes Incorporated DMG1026UV-7, SOT563, 60 В, 0,3 А (комплект 40 шт.)

• Двойной N-MOSFET транзистор (x2) в комплекте из 40 штук
• Корпус SOT563 для поверхностного монтажа (SMD)
• Максимальное напряжение между стоком и истоком: 60 В
• Ток стока: 0,3 А (в импульсе до 1 А)
• Сопротивление в открытом состоянии: 1,8 Ом
• Рассеиваемая мощность: 0,58 Вт
• Версия ESD (защита от электростатического разряда)

Электрические параметры

Компоненты представляют собой униполярные транзисторы с каналом типа N и обогащенным каналом. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 60 В, а постоянный ток стока — 0,3 А. В импульсном режиме ток может достигать 1 А. Напряжение на затворе может изменяться в пределах ±20 В.

Корпус и монтаж

Транзисторы выполнены в компактном корпусе SOT563, предназначенном для поверхностного монтажа (SMD). Рассеиваемая мощность составляет 0,58 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 1,8 Ом.

Версия ESD

Транзисторы относятся к версии ESD, что указывает на наличие защиты от электростатического разряда.