
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMG1012T-7, SOT523, 20V, 0,45A (набор 60 шт.)
1 900 ₴
- В наличии
- Код: TM112050
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMG1012T-7 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе SOT523. Комплект состоит из 60 единиц, предназначенных для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 20 В
- Ток стока: 0,45 А
- Рассеиваемая мощность: 0,28 Вт
- Корпус: SOT523, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 60 шт.
Управление и сопротивление канала
Напряжение затвор-исток ограничено ±6 В, что определяет режимы управления каналом. Сопротивление в открытом состоянии составляет 0,3 Ом, что влияет на потери при прохождении тока.
Напряжение и ток
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 20 В и ток стока 0,45 А. Эти параметры определяют границы работы компонента в электрической цепи.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.28 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 6 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.45 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 300 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Количество в комплекте | 60 шт. |
| Корпус | SOT523 |
Информация для заказа
- Цена: 1 900 ₴
