Транзистор N-MOSFET DIOTEC DI017N10D1, 100В, 12А, DPAK (DI017N10D1-DIO) — набор 30 шт.
2 030 ₴
- В наличии
- Код: TM112024
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DI017N10D1, 100В, 12А, DPAK (DI017N10D1-DIO) — набор 30 шт.В наличии
2 030 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DI017N10D1 — это полупроводниковый компонент с каналом обогащения. Модель рассчитана на напряжение 100 В и постоянный ток 12 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
- Максимальное напряжение «сток-исток»: 100 В
- Постоянный ток «сток»: 12 А (импульсный до 60 А)
- Рассеиваемая мощность: 79 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 155 мОм
- Корпус: DPAK (TO252AA), монтаж SMD
- Количество в наборе: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение «сток-исток» 100 В и постоянный ток «сток» 12 А. В импульсном режиме ток может достигать 60 А, что позволяет выдерживать кратковременные пиковые нагрузки. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 79 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 155 мОм.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе DPAK (TO252AA) для поверхностного монтажа (SMD). Полярность транзистора — униполярная, тип канала — обогащения (enhancement mode).
Комплектация
Товар поставляется набором из 30 шт.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Diotec Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 79 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 16 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 12 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 155 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | DPAK, TO252AA |
Информация для заказа
- Цена: 2 030 ₴