Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19501KCS, 80В 100А, TO220-3 (набор 10 шт.)

Набор из 10 транзисторов N-MOSFET от Texas Instruments, модель CSD19501KCS. Предназначены для монтажа на плату (THT) в корпусе TO220-3. Ключевые параметры: напряжение 80 В, ток 100 А, рассеиваемая мощность 217 Вт.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 80 В
• Постоянный ток стока: 100 А
• Рассеиваемая мощность: 217 Вт
• Корпус: TO220-3, монтаж THT
• Сопротивление в открытом состоянии: 5,5 мОм
• Количество в наборе: 10 шт.

Электрические характеристики

Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение между истоком и стоком составляет 80 В, а постоянный ток стока — 100 А. Сопротивление в открытом состоянии равно 5,5 мОм.

Тепловые параметры и монтаж

Прибор имеет рассеиваемую мощность 217 Вт. Толщина радиатора для данного корпуса TO220-3 составляет 1,14–1,4 мм. Монтаж выполняется методом выведенных наружу выводов (THT), что позволяет устанавливать компонент на печатную плату с отверстиями.

Технология и комплектация

Производитель использует технологию NexFET™. Заряд затвора составляет 38 нКл, а допустимое напряжение затвор-исток — ±20 В. В комплекте поставляется 10 единиц товара.## Комплектация и идентификацияКомплект состоит из 10 транзисторов. Символ производителя — CSD19501KCS. Корпус TO220-3. Толщина радиатора для этого корпуса составляет 1,14–1,4 мм.## Электрические параметры затвораДопустимое напряжение затвор-исток составляет ±20 В. Заряд затвора равен 38 нКл.