Транзистор N-MOSFET Infineon BSS816NWH6327XTSA1, 20 В, 1,4 А, SOT323 (80 шт.)
2 020 ₴
- В наличии
- Код: TM111655
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS816NWH6327XTSA1, 20 В, 1,4 А, SOT323 (80 шт.)В наличии
2 020 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS816NWH6327XTSA1 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Комплект состоит из 80 штук в корпусе SOT323 для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 20 В
- Ток стока: 1,4 А
- Рассеиваемая мощность: 0,5 Вт
- Корпус: SOT323, монтаж SMD
- Комплектация: 80 шт.
Электрические параметры
Напряжение сток-исток составляет 20 В, а ток стока — 1,4 А. Рассеиваемая мощность — 0,5 Вт, сопротивление в открытом состоянии — 0,24 Ом. Допустимое напряжение затвор-исток — ±8 В.
Комплектация и монтаж
Комплект состоит из 80 транзисторов. Компоненты имеют корпус SOT323 и технологию OptiMOS™ 2. Монтаж выполняется методом SMD.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 8 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 1.4 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 240 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 80 шт. |
| Корпус | SOT323 |
| Технология | OptiMOS™ 2 |
Информация для заказа
- Цена: 2 020 ₴