Транзистор N-MOSFET Infineon BSS225H6327FTSA1, 600В, SOT89, набор 30 шт.

Набор из 30 транзисторов N-MOSFET от Infineon Technologies, модель BSS225H6327FTSA1. Компоненты предназначены для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SOT89 и работают по технологии SIPMOS™.

• Напряжение сток-исток 600 В
• Ток стока 90 мА
• Рассеиваемая мощность 1 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии 45 Ом
• Корпус SOT89, монтаж SMD
• Технология SIPMOS™
• Набор из 30 транзисторов

Электрические параметры

Транзистор имеет напряжение сток-исток 600 В и ток стока 90 мА. Рассеиваемая мощность составляет 1 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 45 Ом. Напряжение затвор-исток допускает значения ±20 В.

Технология и монтаж

Компонент изготовлен по технологии SIPMOS™. Монтаж выполняется методом SMD (поверхностный монтаж). Корпус SOT89 является компактным решением для электронных схем.

Тип транзистора и полярность

Транзистор представляет собой униполярный N-MOSFET с каналом обогащения. Это означает, что устройство открыто только при подаче напряжения на затвор, что соответствует стандартной логике управления для данного типа компонентов.