Транзистор P-MOSFET Infineon BSS192PH6327FTSA1, -250В, 1Вт, PG-SOT89 (набор 30 шт.)
2 340 ₴
- В наличии
- Код: TM111653
Транзистор P-MOSFET Infineon BSS192PH6327FTSA1, -250В, 1Вт, PG-SOT89 (набор 30 шт.)В наличии
2 340 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
P-MOSFET транзистор Infineon BSS192PH6327FTSA1 в корпусе PG-SOT89 для SMD-монтажа. Напряжение между истоком и стоком составляет -250 В, ток стока -190 мА, рассеиваемая мощность 1 Вт. В комплекте 30 единиц.
- Тип: P-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: -250 В
- Ток стока: -190 мА
- Мощность рассеивания: 1 Вт
- Корпус: PG-SOT89, монтаж SMD
- Количество в наборе: 30 шт.
Электрические характеристики
Транзистор является униполярным P-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение между стоком и истоком равно -250 В, а напряжение на затворе — ±20 В.
Сопротивление в открытом состоянии
Сопротивление в открытом состоянии составляет 12 Ом.
Комплектация
Товар поставляется набором из 30 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 1 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | PG-SOT89 |
| Технология | SIPMOS™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 340 ₴