Транзистор N-MOSFET Infineon BSS123NH6327XTSA1, SOT23, 100В, 0,15А (комплект 80 шт.)
2 040 ₴
- Нет в наличии
- Код: TM111649
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS123NH6327XTSA1, SOT23, 100В, 0,15А (комплект 80 шт.)Нет в наличии
2 040 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерТранзистор N-MOSFET Infineon BSS123NH6327XTSA1 — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Товар поставляется комплектом из 80 штук в корпусе SOT23.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 100 В
- Ток стока: 0,15 А (постоянный), 0,77 А (импульсный)
- Рассеиваемая мощность: 0,5 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Комплектация: 80 штук
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 100 В и постоянный ток стока 0,15 А. В импульсном режиме допустимый ток стока составляет 0,77 А, а максимальная рассеиваемая мощность — 0,5 Вт.
Корпус и монтаж
Монтаж осуществляется методом SMD в корпусе SOT23.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.15 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 10000 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 80 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технология | OptiMOS™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 040 ₴