Транзистор N-MOSFET ONSEMI BSS123LT1G, SOT23, 100 В, 0,17 А (набор 90 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI BSS123LT1G — это униполярный полевой транзистор с изолированным затвором в корпусе SOT23. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD) и работы в электронных схемах с нагрузкой до 0,17 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
• Ток стока: 0,17 А
• Рассеиваемая мощность: 0,225 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 6 Ом
• Количество в наборе: 90 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток до 100 В и током стока 0,17 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 0,225 Вт, что определяет тепловой режим устройства. Сопротивление в открытом состоянии равно 6 Ом, что влияет на потери энергии при прохождении тока.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в стандартном корпусе SOT23, что обеспечивает компактность узла. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж), который является стандартным для современных печатных плат. Канал транзистора — обогащенного типа (enhancement mode), что означает отсутствие тока стока при нулевом напряжении на затворе.

Комплектация

Товар поставляется набором из 90 штук.