Транзистор N-MOSFET Infineon BSS119NH6327XTSA1, SOT23, 100В, 0,19А (набор 90 шт.)
2 010 ₴
- В наличии
- Код: TM111647
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS119NH6327XTSA1, SOT23, 100В, 0,19А (набор 90 шт.)В наличии
2 010 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 90 транзисторов N-MOSFET от Infineon Technologies, модель BSS119NH6327XTSA1. Компоненты в корпусе SOT23 предназначены для поверхностного монтажа (SMD) и работают по технологии SIPMOS™.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, с каналом обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
- Максимальный ток стока: 0,19 А
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Технология: SIPMOS™
- Количество в наборе: 90 шт.
Электрические параметры
Транзистор является униполярным N-канальным MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 100 В, а максимальный ток стока — 0,19 А. Напряжение на затворе может изменяться в пределах ±20 В. Сопротивление в открытом состоянии равно 10 Ом.
Монтаж и корпус
Компоненты выполнены в корпусе SOT23. Технология SIPMOS™. Монтаж: SMD (поверхностный).
Комплектация
В упаковке поставляется 90 единиц транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.19 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 10000 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 90 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технология | SIPMOS™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 010 ₴