
Транзистор N-MOSFET Infineon BSP149H6327XTSA1, 200 В, 0,53 А, SOT223 (20 шт.)
2 580 ₴
- В наличии
- Код: TM111643
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSP149H6327XTSA1 — это униполярный компонент с каналом, обедненным при нулевом напряжении. Устройство рассчитано на напряжение сток-исток 200 В и постоянный ток 0,53 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 200 В
- Ток стока: 0,53 А (импульсный до 2,6 А)
- Мощность рассеивания: 1,8 Вт
- Корпус: SOT223, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток до 200 В. Номинальный ток стока составляет 0,53 А, а импульсный ток может достигать 2,6 А. Мощность рассеивания ограничена 1,8 Вт.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SOT223. Монтаж осуществляется по технологии SMD.
Комплектация
Товар поставляется набором из 20 транзисторов. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В. Сопротивление в открытом состоянии равно 3,5 Ом. Используется технология SIPMOS™.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.8 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 200 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.53 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 3500 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SOT223 |
| Технология | SIPMOS™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 580 ₴
