Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET Infineon BSP149H6327XTSA1, 200 В, 0,53 А, SOT223 (20 шт.)

2 580 ₴

  • В наличии
  • Код: TM111643
Транзистор N-MOSFET Infineon BSP149H6327XTSA1, 200 В, 0,53 А, SOT223 (20 шт.)
Транзистор N-MOSFET Infineon BSP149H6327XTSA1, 200 В, 0,53 А, SOT223 (20 шт.)В наличии
2 580 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор N-MOSFET Infineon BSP149H6327XTSA1 — это униполярный компонент с каналом, обедненным при нулевом напряжении. Устройство рассчитано на напряжение сток-исток 200 В и постоянный ток 0,53 А.

  • Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
  • Напряжение сток-исток: 200 В
  • Ток стока: 0,53 А (импульсный до 2,6 А)
  • Мощность рассеивания: 1,8 Вт
  • Корпус: SOT223, монтаж SMD
  • Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток до 200 В. Номинальный ток стока составляет 0,53 А, а импульсный ток может достигать 2,6 А. Мощность рассеивания ограничена 1,8 Вт.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе SOT223. Монтаж осуществляется по технологии SMD.

Комплектация

Товар поставляется набором из 20 транзисторов. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В. Сопротивление в открытом состоянии равно 3,5 Ом. Используется технология SIPMOS™.

Характеристики
Основные
ПроизводительInfineon Technologies
Максимальная мощность рассеивания1.8 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток20 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток200 В
Максимально допустимый ток стока0.53 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)3500 mOm
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте20 шт.
КорпусSOT223
ТехнологияSIPMOS™
Информация для заказа
  • Цена: 2 580 ₴