Транзистор NPN Infineon BFP650H6327, SiGe:C, RF, SOT343, 40 шт.
2 230 ₴
- В наличии
- Код: TM111608
Транзистор NPN Infineon BFP650H6327, SiGe:C, RF, SOT343, 40 шт.В наличии
2 230 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор Infineon BFP650H6327 — это биполярный полупроводниковый прибор типа NPN, изготовленный по технологии SiGe:C. Он предназначен для радиочастотных (RF) применений и поставляется комплектом из 40 штук в корпусе SOT343.
- Тип транзистора: NPN, биполярный
- Технология изготовления: SiGe:C
- Рабочая частота: до 42 ГГц
- Корпус: SOT343, монтаж SMD
- Ток коллектора: 0,15 А
- Напряжение коллектор-эмиттер: 13 В
- Мощность рассеивания: 0,5 Вт
- Количество в комплекте: 40 шт.
Радиочастотные характеристики
Прибор работает на частоте до 42 ГГц, что делает его пригодным для высокочастотных схем. Технология SiGe:C обеспечивает необходимые параметры для RF-применений.
Электрические параметры
Максимальный ток коллектора составляет 0,15 А, а напряжение коллектор-эмиттер — 13 В. Мощность рассеивания равна 0,5 Вт. Эти значения определяют рабочие границы транзистора в электрических цепях.
Монтаж и корпус
Транзистор выполнен в корпусе SOT343 для поверхностного монтажа (SMD). Такой формат подходит для автоматизированной установки на печатные платы.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 13 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.15 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | SOT343 |
| Технология | SiGe:C |
Информация для заказа
- Цена: 2 230 ₴