
Транзистор NPN Infineon BF888H6327XTSA1, RF, SOT343, 4 В, 30 мА, 0,16 Вт (комплект 200 шт.)
2 090 ₴
- В наличии
- Код: TM111606
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор Infineon BF888H6327XTSA1 — это биполярный полупроводниковый прибор типа NPN, разработанный для радиочастотных (RF) применений. Товар поставляется комплектом из 200 штук в корпусе SOT343 для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип транзистора: NPN, биполярный
- Класс: RF (радиочастотный)
- Корпус: SOT343, монтаж SMD
- Напряжение коллектор-эмиттер: 4 В
- Ток коллектора: 30 мА
- Мощность рассеивания: 0,16 Вт
- Коэффициент усиления: 250
- Граничная частота: 47 ГГц
- Комплектация: 200 шт.
Электрические параметры
Прибор имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 4 В и максимальный ток коллектора 30 мА. Мощность рассеивания составляет 0,16 Вт. Эти параметры определяют рабочие режимы транзистора в электрических цепях.
Корпус и монтаж
Транзистор выполнен в корпусе SOT343, предназначенном для технологии поверхностного монтажа (SMD). Товар поставляется комплектом из 200 штук.
Радиочастотные характеристики
Транзистор классифицируется как RF-компонент с граничной частотой 47 ГГц. Коэффициент усиления по току составляет 250.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.16 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 4 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.03 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 200 шт. |
| Корпус | SOT343 |
Информация для заказа
- Цена: 2 090 ₴
