Транзистор NPN ONSEMI BCW65CLT1G, SOT23, 32В, 0,8А, 150 шт.
2 440 ₴
- В наличии
- Код: TM111593
Транзистор NPN ONSEMI BCW65CLT1G, SOT23, 32В, 0,8А, 150 шт.В наличии
2 440 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор NPN ONSEMI BCW65CLT1G — это биполярный полупроводниковый прибор в корпусе SOT23 (TO236AB) для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 150 штук.
- Тип транзистора: NPN, биполярный
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Напряжение коллектор-эмиттер: 32 В
- Ток коллектора: 0,8 А
- Мощность рассеивания: 0,225 Вт
- Коэффициент усиления (hFE): 250...630
- Частота: 100 МГц
- Количество в комплекте: 150 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет напряжение коллектор-эмиттер 32 В и максимальный ток коллектора 0,8 А. Коэффициент усиления по току (hFE) составляет от 250 до 630. Мощность рассеивания ограничена 0,225 Вт.
Монтаж и корпус
Прибор выполнен в стандартном корпусе SOT23 (TO236AB) и предназначен для технологии SMD (Surface Mount Device). Частота перехода составляет 100 МГц.
Комплектация
В упаковке находится 150 транзисторов BCW65CLT1G.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.225 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 32 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.8 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 100 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 150 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Информация для заказа
- Цена: 2 440 ₴